[发明专利]一维硫‑导电高聚物锂硫电池正极材料及其制备方法在审
| 申请号： | 201711170947.7 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107863523A | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨莉;赵策洲;易若玮;刘晨光;赵胤超;耿显葳 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/052 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一维硫‑导电高聚物锂硫电池正极材料及其制备方法，一种以碱式硫酸镁晶须为模板，以导电聚合物为外壳的锂硫电池复合正极材料。本发明利用碱式硫酸镁晶须作为模板，合成中空的一维中空颗粒，为硫单质的体积膨胀预留空间，缓解电极开裂现象；颗粒外壁包裹的导电高聚物不仅改善了硫的电子传导性，同时抑制了多硫化锂的扩散溶解，提高了硫正极的充放电效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一维硫 导电 高聚物锂硫 电池 正极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一维硫‑导电高聚物锂硫电池正极材料的制备方法，包括如下步骤:A.对碱式硫酸镁晶须表面进行疏水性修饰，B.然后在修饰的碱式硫酸镁晶须上沉积一层硫单质，C.再在硫单质外生长一层导电高聚物，D.最后去除碱式硫酸镁晶须得到用以导电高聚物为包覆层的硫纳米管材料。
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