[发明专利]Sn2Nb2O7光阳极材料及Sn2Nb2O7光电极薄膜在审

专利信息
申请号: 201711170982.9 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN107994120A 公开(公告)日: 2018-05-04
发明(设计)人: 范晓星;刘京;王绩伟;韩东远;王晓娜 申请(专利权)人: 辽宁大学
主分类号: H01L51/44 分类号: H01L51/44;H01G9/042
代理公司: 沈阳杰克知识产权代理有限公司21207 代理人: 金春华
地址: 110000 辽宁*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了Sn2Nb2O7光阳极材料及Sn2Nb2O7光电极薄膜。以SnO和Nb2O5为原料,利用固相反应法制备Sn2Nb2O7粉体,将此粉体作为原材料,利用电泳沉积法将此材料制备成薄膜电极。并将Sn2Nb2O7光电极薄膜焙烧,得到结晶性较好的电极薄膜。Sn2Nb2O7是一种多元金属氧化物,其能带位置横跨水的导带与价带的位置,适合进行水的分解,其在水溶液中性质稳定,具有良好的光化学特性,并且制备方法简单。对于Sn2Nb2O7的探究,为水的分解提供新的催化材料,有益于可再生能源的研究,缓解当今环境能源紧张的严峻形势。
搜索关键词: sn2nb2o7 阳极 材料 电极 薄膜
【主权项】:
一种Sn2Nb2O7光阳极材料,其特征在于,制备方法包括如下步骤:将SnO和Nb2O5混合于乙醇中,采用球磨法,将混合物料分散均匀,乙醇清洗,烘干后,高温退火处理,冷却至室温,研磨,得Sn2Nb2O7光阳极材料。
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