[发明专利]基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构有效
申请号: | 201711171651.7 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107919386B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 王鑫华;王泽卫;黄森;魏珂;刘新宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/06 | 分类号: | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构,包括:薄势垒异质结,自下而上包括:GaN缓冲层和薄势垒层,在该薄势垒异质结的界面处存在受晶格应变调控的二维电子气;电荷诱导层,形成于薄势垒层上方,包含若干间隔开的被刻蚀至薄势垒层的空心区域,分别为源极开口区、漏极开口区以及栅极开口区;以及Fin纳米带阵列结构,在栅极开口区由薄势垒层刻蚀至GaN缓冲层内部形成,用于实现应变调控。该结构使Fin宽拓宽至100nm以上,解决了目前增强型AlGaN/GaN FinFET器件Fin宽临界尺寸偏小问题,从而增大了器件Fin宽制备工艺窗口,降低了工艺难度以及制作AlGaN/GaN FinFET器件的工艺成本。 | ||
搜索关键词: | 基于 应变 调控 增强 gan finfet 结构 | ||
【主权项】:
一种基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构,包括:薄势垒异质结,自下而上包括:GaN缓冲层和薄势垒层,在该薄势垒异质结的界面处存在受晶格应变调控的二维电子气;电荷诱导层,形成于薄势垒层上方,包含若干间隔开的被刻蚀至薄势垒层的空心区域,分别为源极开口区、漏极开口区以及栅极开口区;以及Fin纳米带阵列结构,在栅极开口区由薄势垒层刻蚀至GaN缓冲层内部形成,用于实现应变调控。
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