[发明专利]基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构有效
| 申请号： | 201711171651.7 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107919386B | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 王鑫华;王泽卫;黄森;魏珂;刘新宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构，包括：薄势垒异质结，自下而上包括：GaN缓冲层和薄势垒层，在该薄势垒异质结的界面处存在受晶格应变调控的二维电子气；电荷诱导层，形成于薄势垒层上方，包含若干间隔开的被刻蚀至薄势垒层的空心区域，分别为源极开口区、漏极开口区以及栅极开口区；以及Fin纳米带阵列结构，在栅极开口区由薄势垒层刻蚀至GaN缓冲层内部形成，用于实现应变调控。该结构使Fin宽拓宽至100nm以上，解决了目前增强型AlGaN/GaN FinFET器件Fin宽临界尺寸偏小问题，从而增大了器件Fin宽制备工艺窗口，降低了工艺难度以及制作AlGaN/GaN FinFET器件的工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 应变 调控 增强 gan finfet 结构 | ||
【主权项】：
一种基于应变调控的增强型GaN基FinFET结构，包括：薄势垒异质结，自下而上包括：GaN缓冲层和薄势垒层，在该薄势垒异质结的界面处存在受晶格应变调控的二维电子气；电荷诱导层，形成于薄势垒层上方，包含若干间隔开的被刻蚀至薄势垒层的空心区域，分别为源极开口区、漏极开口区以及栅极开口区；以及Fin纳米带阵列结构，在栅极开口区由薄势垒层刻蚀至GaN缓冲层内部形成，用于实现应变调控。
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