[发明专利]二维光子晶体选择性辐射器及制备方法有效
| 申请号： | 201711171711.5 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107833939B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 谭永胜;李秀东;方泽波 | 申请（专利权）人： | 绍兴文理学院 |
| 主分类号： | H01L31/055 | 分类号： | H01L31/055;G02B6/122 |
| 代理公司： | 绍兴市寅越专利代理事务所(普通合伙) 33285 | 代理人： | 郭云梅 |
| 地址： | 312000 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二维光子晶体选择性辐射器及制备方法，其中包括基体材料和形成于所述基体材料表面的二硅化钛薄膜，所述基体材料为硅材料，所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列，所述二硅化钛薄膜沉积于所述基体材料的表面后形成硅/二硅化钛二维光子晶体。本发明以硅的刻蚀与薄膜沉积技术为基础制备二维光子晶体选择性辐射器，可以充分利用硅基集成电路制备工艺及现有产线，大幅降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 光子 晶体 选择性 辐射器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二维光子晶体选择性辐射器，其特征在于，包括基体材料和形成于所述基体材料表面的二硅化钛薄膜，所述基体材料为硅材料，所述基体材料的表面刻蚀形成周期性孔洞阵列，所述二硅化钛薄膜沉积于所述基体材料的表面后形成硅/二硅化钛二维光子晶体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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