[发明专利]晶圆清洗方法及清洗装置

摘要

本发明提供一种晶圆清洗方法及清洗装置，包括：第一处理腔室，设有与其内部相连通的第一进气管路，第一进气管路用于向第一处理腔室内部提供保护气体保护气氛；第一处理单元，位于第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将晶圆进行清洗，以使得晶圆的表面呈疏水性，且无悬挂键；第二处理单元，位于第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将表面呈疏水性的晶圆进行去离子水清洗；第三处理单元，位于第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下去离子水清洗后的晶圆进行干燥。本发明的晶圆清洗装置在对晶圆进行清洗后不会在晶圆表面残留水迹，在干燥过程中不会在晶圆表面形成金属，在后续测量晶圆体金属含量时不会在晶圆内部形成体金属缺陷。

主权项

1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆清洗装置包括：第一处理腔室，所述第一处理腔室上设有与其内部相连通的第一进气管路，所述第一进气管路用于向所述第一处理腔室内通入保护气体，以为所述第一处理腔室内部提供保护气体保护气氛；第一处理单元，位于所述第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将SC‑2清洗液清洗后的晶圆进行清洗，以使得所述晶圆的表面呈疏水性，且使得所述晶圆表面无悬挂键；第二处理单元，位于所述第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下将表面呈疏水性的所述晶圆进行去离子水清洗；第三处理单元，位于所述第一处理腔室内，用于在保护气体保护气氛下去离子水清洗后的所述晶圆进行干燥。