[发明专利]一种上转换荧光成像系统及上转换荧光的成像方法在审
申请号: | 201711174200.9 | 申请日: | 2017-11-22 |
公开(公告)号: | CN109813687A | 公开(公告)日: | 2019-05-28 |
发明(设计)人: | 吴爱国;俞樟森;杨方 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种上转换荧光成像系统,该系统的光源发射的入射光的波长范围为1000nm至2500nm,该波长范围处于近红外II区和近红外III区,该波段的红外光在样品中的穿透深度比较深;通过处于近红外II区或近红外III区的入射光激发,预先在样品中进行标记的上转换荧光纳米颗粒可以发出处于近红外区的出射光,该出射光在样品中的穿透深度同样较深;并且由于光源发出的入射光的波长包括近红外II区和近红外III区,该入射光极不容易引起样品的自发荧光现象,从而可以有效的增加荧光成像深度和灵敏度;本发明还公开了一种上转换荧光的成像方法,同样具有上述有益效果。 | ||
搜索关键词: | 上转换 入射光 波长 荧光成像系统 出射光 荧光 成像 穿透 红外光 荧光纳米颗粒 光源发射 近红外区 荧光成像 自发荧光 灵敏度 波段 光源 激发 | ||
【主权项】:
1.一种上转换荧光成像系统,其特征在于,所述上转换荧光成像系统包括光源、样品台、光信号接收器和处理器;所述光源发射的入射光的波长范围为:1000nm至2500nm,包括端点值;所述样品台用于放置经过上转换荧光纳米颗粒标记的样品,所述样品用于吸收所述入射光并发射出射光;所述光信号接收器连接所述处理器,所述光信号接收器用于接收所述出射光,并将所述出射光转换成图像数据,以发送至所述处理器;所述处理器用于根据所述图像数据生成荧光图像。
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