[发明专利]一种金属栅填充的改善方法有效
| 申请号： | 201711175001.X | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107958927B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律师事务所 | 代理人： | 严罗一 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在后栅工艺中，优化金属栅极填充的方法。先形成一伪栅层，再形成伪栅层侧墙；再沉积双层接触刻蚀停止层。沉积层间介质层氧化层后进行化学机械研磨露出伪栅极，然后对SiN部分进行回刻，形成台阶结构。去掉伪栅极得到凹槽，在凹槽内一次填充高介电层和金属栅极，多余的金属栅极部分通过化学机械研磨去除，形成金属栅极结构。此方法通过扩大凹槽开口降低深宽比来改善金属栅填充，金属栅的栅极宽度增大部分由后续的CMP去除，不影响金属栅最终的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 填充 改善 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属栅填充的改善方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上图案化形成一栅氧化层；/nS2在所述栅氧化层上图案化形成一伪栅层和一高度低于所述伪栅层的伪栅层侧墙；/nS3在所述伪栅层顶面和侧面、所述伪栅层侧墙外表面和所述半导体衬底裸露上表面形成一SiN侧墙层；所述SiN侧墙层的内侧面湿法刻蚀速率大于外侧面湿法刻蚀速率；/nS4在所述SiN侧墙层上形成一氧化层；/nS5化学机械研磨所述氧化层并停止于所述伪栅层中不低于所述伪栅层侧墙顶面的位置；/nS6对所述SiN侧墙层进行回刻至回刻停止在所述SiN侧墙层靠近伪栅层侧墙的内侧面高度不低于伪栅层侧墙顶面的位置；/nS7去除所述伪栅层后形成第一复合结构；/nS8在所述复合结构上表面形成高K介质层和金属栅层；/nS9对所述金属栅层进行化学机械抛光并停止于不高于所述伪栅层侧墙顶面高度的位置，并继续后续栅极工艺以形成金属栅极；/n所述SiN侧墙层为接触刻蚀停止层，所述SiN侧墙层至少为一层；/n所述SiN侧墙层的湿法刻蚀速率沿伪栅层侧墙外表面水平向所述SiN侧墙层的外侧面方向依次变小。/n
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