[发明专利]一种集成光波导三维电场传感器有效
| 申请号： | 201711175520.6 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108120883B | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 张家洪;李英娜;万小容;赵振刚;李川 | 申请（专利权）人： | 昆明理工大学 |
| 主分类号： | G01R29/12 | 分类号： | G01R29/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 650093 云*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成光波导三维电场传感器，属电场测量领域。本发明包括集成光波导一维电场传感器：在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个两端为Y形光波导，中间为平行光波导构成的M‑Z光波导干涉仪，在中间某一直波导臂两侧制作两片与直波导平行的金属电极，并制作与金属电极垂直相连接的金属偶极子天线；集成光波导二维电场传感器：通过在一片铌酸锂晶片表面采用质子交换方法形成一个Y形光波导，其中Y形光波导的两个波导臂为两个M‑Z光波导结构；在这两个M‑Z光波导干涉仪的直波导臂两侧制作金属电极和天线，并且使制作在两个M‑Z光波导干涉仪上的天线互相垂直。本发明体积小、空间分辨率高、对被测电场的干扰小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 波导 三维 电场 传感器 | ||
【主权项】：
一种集成光波导三维电场传感器，其特征在于：由一个集成光波导一维电场传感器和一个集成光波导二维电场传感器固定在一起构成；所述集成光波导一维电场传感器为：在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个由输入Y形光波导、中间两段平行直波导、输出Y形光波导构成的马赫增德尔光波导干涉仪，在中间某一直波导臂两侧制作两片与直波导平行的金属电极，并制作与金属电极垂直相连接的金属偶极子天线，即构成一个集成光波导一维电场传感器；所述集成光波导二维电场传感器为：在一片铌酸锂晶片表面使用质子交换方法制作一个两臂为两个M‑Z光波导干涉仪的Y形光波导，其实质为在一片晶片上制作两个M‑Z 光波导干涉仪，再分别在两个M‑Z光波导干涉仪直波导臂两侧制作金属电极与天线，并使制作在两个M‑Z光波导干涉仪上的天线互相垂直，即构成一个单片集成光波导二维电场传感器；将制作好的一个集成光波导二维电场传感器和一个集成光波导一维电场传感器固定在一起，使得集成光波导一维电场传感器的天线和集成光波导二维电场传感器的天线相互垂直。
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