[发明专利]一种硫辛酸中基因毒性杂质6;8-二氯辛酸乙酯的分析方法有效

专利信息
申请号: 201711176290.5 申请日: 2017-11-22
公开(公告)号: CN107991403B 公开(公告)日: 2019-03-15
发明(设计)人: 陈相峰;刘兰畦 申请(专利权)人: 山东省分析测试中心
主分类号: G01N30/02 分类号: G01N30/02
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 张晓鹏
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明公开了一种硫辛酸中基因毒性杂质6,8‑二氯辛酸乙酯的分析方法,采用气相色谱与质谱联用技术对硫酸辛样品溶液中的6,8‑二氯辛酸乙酯进行检测;气相色谱的检测条件为:色谱柱:DB‑WAX 30m×0.25mm×0.25μm,固定相为聚乙二醇,载气为高纯氮气;柱温:起始温度100℃,维持2分钟,然后以20℃每分钟的速率升温至230℃,在230℃维持5min;质谱条件为:离子源电压:‑70eV,离子源温度:230℃,四级杆温度:150℃,接口温度:280℃。该分析方法具有分析速度快、灵敏度高的优势。
搜索关键词: 一种 辛酸 基因 毒性 杂质 分析 方法
【主权项】:
1.一种硫辛酸中基因毒性杂质6,8‑二氯辛酸乙酯的分析方法,其特征在于:采用气相色谱与质谱联用技术对硫酸辛样品溶液中的6,8‑二氯辛酸乙酯进行检测;气相色谱的检测条件为:色谱柱:DB‑WAX 30m×0.25mm×0.25μm,固定相为聚乙二醇,载气为高纯氮气;柱温:起始温度100℃,维持2分钟,然后以20℃每分钟的速率升温至230℃,在230℃维持5min;质谱条件为:离子源电压:‑70eV,离子源温度:230℃,四级杆温度:150℃,接口温度:280℃;所述硫酸辛样品溶液的稀释溶剂为甲醇。
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