[发明专利]集成电路、用于形成集成电路的系统和方法

摘要

一种集成电路结构包括第一阱、以及第一注入集合和第二注入集合。第一阱包括第一掺杂剂类型、在第一方向上延伸并具有第一宽度的第一部分、和与第一部分相邻的第二部分。第二部分在第一方向上延伸并且具有大于第一宽度的第二宽度。第一注入集合在第一阱的第一部分中，并且第二注入集合在第一阱的第二部分中。第一注入集合中的至少一个注入被配置为耦合至第一电源电压。第二注入集合中的每个注入具有不同于第一注入集合的第一掺杂剂类型的第二掺杂剂类型。本发明的实施例还涉及集成电路、用于形成集成电路的系统和方法。

主权项

一种集成电路结构，包括：第一阱，所述第一阱包括：第一掺杂剂类型；在第一方向上延伸并且具有第一宽度的第一部分，以及与所述第一部分相邻的第二部分，所述第二部分在所述第一方向上延伸并且具有大于所述第一宽度的第二宽度；所述第一阱的所述第一部分中的第一注入集合，所述第一注入集合中的每个注入具有所述第一掺杂剂类型并且在所述第一方向上彼此分离，并且所述第一注入集合的至少一个注入被配置为耦合至第一电源电压，以及所述第一阱的所述第二部分中的第二注入集合，所述第二注入集合中的每个注入具有不同于所述第一掺杂剂类型的第二掺杂剂类型并且在所述第一方向上彼此分离，并且所述第二注入集合在与所述第一方向不同的第二方向上与所述第一注入集合分离。