[发明专利]一种拉晶系统和拉晶方法在审
| 申请号： | 201711176669.6 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109811403A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种拉晶系统和拉晶方法。所述系统包括：拉晶腔室，所述拉晶腔室包括存储硅熔体的坩埚；和水平磁场施加装置，所述水平磁场施加装置包括围绕所述拉晶腔室外侧设置的多个环形线圈，所述多个环形线圈的功率分别独立控制，以使所述水平磁场施加装置施加在所述硅熔体上的水平磁场强度在垂直方向上的分布可调。根据本发明的拉晶系统和拉晶方法，在拉晶过程中调整施加在坩埚内硅熔体上的水平磁场强度在垂直方向上的分布，而非对坩埚位置进行调整，实现拉晶过程中坩埚内硅熔体液面的水平磁场强度维持恒定，避免了对坩埚进行上下驱动，从而避免了在进行大尺寸晶柱拉晶时使用较大体积或功率的坩埚驱动系统。 | ||
| 搜索关键词： | 拉晶 水平磁场 坩埚 施加装置 硅熔体 腔室 环形线圈 施加 恒定 独立控制 强度维持 驱动系统 上下驱动 外侧设置 坩埚位置 体液 晶柱 可调 存储 | ||
【主权项】：
1.一种拉晶系统，其特征在于，所述系统包括：拉晶腔室，所述拉晶腔室包括存储硅熔体的坩埚；和水平磁场施加装置，所述水平磁场施加装置包括围绕所述拉晶腔室外侧设置的多个环形线圈，所述多个环形线圈的功率分别独立控制，以使所述水平磁场施加装置施加在所述硅熔体上的水平磁场强度在垂直方向上的分布可调。
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