[发明专利]一种双栅极鳍式场效晶体管形成方法及结构有效
| 申请号： | 201711177128.5 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN107731927B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 严罗一 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种能够在鳍垂直方向上设置多个栅极介质层从而有效降低鳍有效沟道底部的漏电，有效优化鳍式场效晶体管结构的方法以及根据该方法而制成的鳍式场效晶体管及其形成方法。本发明提供的双栅极鳍式场效应晶体管的结构，其通过在鳍外侧面形成一个栅极作为控制栅，在鳍内侧面形成另一个栅极作为驱动栅，该结构不仅可以降低鳍的有效沟道底部的漏电，且通过调节控制栅的厚度可以有效改变驱动栅的阈值电压，还可以提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 鳍式场效 晶体管 形成 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种双栅极鳍式场效晶体管的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：S1提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成一埋氧层；S2在所述埋氧层上形成第一半导体层，并对所述第一半导体层图形化形成半导体鳍片层；S3在所述半导体鳍片层的顶面及两侧面外延生长形成第二半导体层；S4在所述第二半导体层及埋氧层上表面形成第一栅氧化层；S5在所述第一栅氧化层表面形成第一栅极层；S6在所述第一金属栅表面形成一氧化层并平整化所述氧化层使所述第一金属栅顶面露出；S7对所述第一金属栅进行回刻并回刻停止于所述半导体鳍片层内；S8去除所述半导体鳍片层以形成第一复合结构；S9在所述第一复合结构表面形成第二栅氧化层；S10在所述第二栅氧化层表面形成第二栅极层；S11继续栅极和源漏区的制备工艺，以形成最终的双栅极鳍式场效晶体管。
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