[发明专利]一种少模波导

摘要

本发明提供了一种少模波导，包括波导区和包层，包层包括基质材料、排布在矩形网格结点上的第一高折射率介质柱以及位于基质材料一侧的高折射率介质包层区；M×M个排布在矩形网格结点上的第二高折射率介质柱以及包围在第二高折射率介质柱中的基质材料组成波导区，所述波导区支持至少E₂₁模的传输，所述高折射率介质包层区和所述波导区分别位于第一高折射率介质柱的两侧；本发明采用正方结构波导，使波导区基模更容易与包层模形成耦合，采用高折射率包层区破坏包层模的全内反射传输条件，形成大的泄露损耗，从而实现滤模的目的。同时，基于传统波导传输原理，使波导区高阶模被很好地束缚在波导区，可实现高阶模低损耗传输。

主权项

1.一种少模波导，其特征在于，包括波导区和包层，所述包层包括基质材料(1)、排布在矩形网格结点上的第一高折射率介质柱(2)以及位于所述基质材料(1)一侧的高折射率介质包层区(4)，所述高折射率介质包层区(4)和基质材料(1)组成矩形；M×M个排布在矩形网格结点上的第二高折射率介质柱(3)以及包围在第二高折射率介质柱(3)中的基质材料(1)组成波导区，所述波导区支持至少E₂₁模的传输，所述高折射率介质包层区(4)和所述波导区分别位于第一高折射率介质柱(2)的两侧；所述第一高折射率介质柱(2)、第二高折射率介质柱(3)以及高折射率介质包层区(4)的折射率相等，均为n_h，所述基质材料(1)的折射率为n_b，所述n_h>n_b；所述第一高折射率介质柱(2)的横截面积大于第二高折射率介质柱(3)的横截面积，所述第一高折射率介质柱(2)的周期为Λ₁，所述第二高折射率介质柱(3)周期为Λ₂，Λ₁>Λ₂。