[发明专利]一种延长ALD真空计使用寿命的方法有效
申请号: | 201711178850.0 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107841730B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 张洪国;夏玉明;夏树胜;王超;张凯;马军涛 | 申请(专利权)人: | 滁州国凯电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/455 |
代理公司: | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人: | 袁敏 |
地址: | 239000 安徽省滁州市世*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体制造技术领域,具体涉及一种延长原子层沉积设备真空计使用寿命的方法。本发明通过对ALD系统中的真空计电磁阀进行间断关闭的方法,在保证系统真空度的基础上,减少前驱体气体和反应副产物进入真空计内部,从而减少前驱体气体和反应副产物在真空计内部的附着,进一步可以延长ALD真空计使用寿命,同时,该方法是在未改变现ALD设备硬件的基础上进行了技术改进,减少设备的维护成本,技术含量高,应用前景良好。同时,该方法是在未改变现ALD设备硬件的基础上进行了技术改进,减少设备的维护成本,技术含量高,应用前景良好。 | ||
搜索关键词: | 一种 延长 ald 真空计 使用寿命 方法 | ||
【主权项】:
1.一种延长ALD真空计使用寿命的方法,其特征在于,所述方法为:对真空计电磁阀进行间断关闭控制;所述方法具体步骤包括:(1)在ALD未进行沉积工作时,将真空计电磁阀打开;(2)当ALD开始沉积工作时,利用真空计电磁阀检测系统的真空度;(3)开启真空计控制系统,当系统真空度达到设定的要求时,且数据稳定后,关闭电磁阀;(4)一段时间后短暂打开电磁阀以监测系统真空度,保证系统的真空度在设定值范围内;所述真空计的控制是用以PLC控制器为基础的,采用PID闭环控制方式进行,其中真空计电磁阀通过RS232或RS485串口与PLC控制器连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于滁州国凯电子科技有限公司,未经滁州国凯电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711178850.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种设置有防护装置的微型机械手
- 下一篇:一种橡胶快速化学镀铜的方法
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的