[发明专利]以超临界流体处理电子组件的方法在审
| 申请号： | 201711180660.2 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108305828A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 张鼎张;张冠张;施志承;潘致宏 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京汇智英财专利代理事务所(普通合伙) 11301 | 代理人： | 何晖 |
| 地址： | 中国台湾高*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以超临界流体处理电子组件的方法，用于解决现有电子组件的效率问题，该以超临界流体处理电子组件的方法的步骤包括：于一个腔体内通入超临界流体，该超临界流体掺杂氢同位素的化合物、有机金属化合物或卤素、氧、硫、硒、磷、砷、其化合物，于该超临界流体维持超临界态的温度范围及压力范围下，使该超临界流体对该腔体内的至少一个电子组件进行改质反应。借此，可确实解决上述问题。 | ||
| 搜索关键词： | 电子组件 超临界流体处理 超临界流体 体内 有机金属化合物 超临界态 改质反应 临界流体 氢同位素 效率问题 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种以超临界流体处理电子组件的方法，其特征在于，其步骤包括：于一个腔体内通入超临界流体，该超临界流体掺杂氢同位素的化合物，于该超临界流体维持超临界态的温度范围及压力范围下，使该超临界流体对该腔体内的至少一个电子组件进行改质反应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
