[发明专利]一种高电阻温度系数氧化镍铬热敏薄膜制备方法在审
| 申请号： | 201711180843.4 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108103459A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王彬;李宁;宿杰;迟宗涛;蔡恩林;刘敬权 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58 |
| 代理公司： | 青岛合创知识产权代理事务所(普通合伙) 37264 | 代理人： | 庄树杰 |
| 地址： | 266071 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高电阻温度系数氧化镍铬热敏薄膜制备方法，可用于红外探测、调制器、光开关等领域的氧化镍铬半导体薄膜及其制备：采用金属镍铬合金靶材，使用磁控溅射方法，在有氮化硅缓冲层的单晶硅衬底上沉积得到Cr‑Ni‑O薄膜，再进行400℃以下的后退火处理，制备氧化镍铬半导体薄膜。本发明氧化镍铬薄膜具有室温附近电阻温度系数高达3.5％/K，制备兼容CMOS工艺，可应用于非致冷红外探测器、光开关、智能玻璃等方面，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镍铬 制备 高电阻温度系数 半导体薄膜 热敏薄膜 光开关 薄膜 非致冷红外探测器 电阻温度系数 单晶硅 磁控溅射 合金靶材 红外探测 金属镍铬 智能玻璃 氮化硅 调制器 后退火 缓冲层 衬底 可用 沉积 应用 兼容 | ||
【主权项】：
1.一种高电阻温度系数氧化镍铬薄膜制备方法，其特征在于，包括：步骤1：单晶硅衬底表面去污清洗；步骤2：在单晶硅表面沉积或溅射一层绝缘层；步骤3：上述材料装入磁控溅射装置真空室内，在绝缘层上溅射一层氧化镍铬薄膜；步骤4：对沉积的薄膜样品进行后退火处理。
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