[发明专利]一种自定位电迁移测试结构及透射电镜样品制备方法有效
| 申请号： | 201711182113.8 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN108010860B | 公开（公告）日： | 2020-03-13 |
| 发明（设计）人： | 蔚倩倩;熊娇;李桂花;仝金雨;李品欢 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01J37/26 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种便于透射电镜样品制备的自定位电迁移测试结构及透射电镜样品制备方法，属于半导体技术领域。所述自定位电迁移测试结构，包括：电迁移测试结构，形成于电迁移测试结构正上方的预设数量的介质层；形成于各介质层上的虚拟测试线，虚拟测试线与电迁移测试结构中的测试线对准。本发明中，提供了一种自定位电迁移测试结构，使得在后续基于该自定位电迁移测试结构进行透射电镜样品制备时，不需要复杂的通过电子束进行定位的过程；减少了电子束照射对低介电常数材质的损坏，并且缩短了透射电镜样品的制备时间，提高了制样的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 定位 迁移 测试 结构 透射 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种便于透射电镜样品制备的自定位电迁移测试结构，其特征在于，包括：电迁移测试结构；形成于所述电迁移测试结构正上方的预设数量的介质层；形成于各介质层上的虚拟测试线，所述虚拟测试线与所述电迁移测试结构中的测试线对准。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711182113.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
