[发明专利]一种SADP页缓冲器切断方法及结构在审
| 申请号： | 201711183484.8 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107968047A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 范鲁明;华子群;李碧峰;曹清晨;冯耀斌;夏志良;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033;H01L21/768;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种SADP页缓冲器切断方法及结构，所述方法包括如下步骤步骤一，使用光学邻近校正模具覆盖页缓冲器的两根芯轴并进行曝光，从而切断上述两根芯轴；步骤二，使用绝缘层包裹上述页缓冲器的所有芯轴，并使用双重曝光硬掩模及间隔件覆盖上述所有芯轴，沿所述双重曝光硬掩模及间隔件刻蚀所述芯轴，去除所述绝缘层；步骤三，对步骤二的所有芯轴进行二次曝光，并在上述双重曝光硬掩模及间隔件的空隙填充导电材料，以形成M2层。本发明通过新的M2双重曝光硬掩模间隔件切断方法，最终实现了三条M2线的切断，并且提高了工艺可控制性，提高了工序余量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sadp 缓冲器 切断 方法 结构 | ||
【主权项】：
一种SADP页缓冲器切断方法，其特征是，包含以下步骤：步骤一，使用光学邻近校正模具覆盖页缓冲器的两根芯轴并进行曝光，从而切断上述两根芯轴；步骤二，使用绝缘层包裹上述页缓冲器的所有芯轴，并使用双重曝光硬掩模及间隔件覆盖上述所有芯轴，沿所述双重曝光硬掩模及间隔件刻蚀所述芯轴，去除所述绝缘层；步骤三，对步骤二的所有芯轴进行二次曝光，并在上述双重曝光硬掩模间隔件的空隙填充导电材料，以形成M2层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711183484.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种半导体器件的制造方法
- 下一篇：一种降低半导体器件背面金属接触电阻的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
