[发明专利]一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺在审
| 申请号： | 201711184640.2 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107946183A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于光刻胶的MMIC芯片背面划片道制作工艺，包括以下步骤101、采用离子体轰击晶圆表面；102、在晶圆表面接地通孔区域注入光刻胶，并在一定固化温度下固化；103、在接地通孔区域光刻胶固化后的晶圆上制作出划片道图形；104、采用湿法刻蚀工艺在划片道图形区域刻蚀Au制作出划片道；105、去除晶圆表面的光刻胶。本发明采用两次涂胶的方式，先在MMIC接地通孔区域填充进光刻胶，待固化后，再进行光刻胶涂覆、曝光、显影制作划片道图形以制作划片道，能有效保护MMIC芯片底部金层，尤其是保护背面接地通孔侧壁和底部金层，从而保证MMIC良好的接地能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光刻 mmic 芯片 背面 划片 制作 工艺 | ||
【主权项】：
一种MMIC芯片背面划片道制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：101、采用离子体轰击晶圆表面；102、在晶圆表面接地通孔区域注入光刻胶，并在一定固化温度下固化；103、在接地通孔区域光刻胶固化后的晶圆上制作出划片道图形；104、采用湿法刻蚀工艺在划片道图形区域刻蚀Au制作出划片道；105、去除晶圆表面的光刻胶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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