[发明专利]一种基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法在审

专利信息
申请号: 201711185000.3 申请日: 2017-11-23
公开(公告)号: CN109829175A 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 葛秋红 申请(专利权)人: 沈阳益泰科信息咨询有限公司
主分类号: G06F17/50 分类号: G06F17/50
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110000 辽宁省沈阳市*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种评估方法,尤其涉及一种基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法。其用于分析电子系统在辐射环境下功能状态的变化,进而评估电子系统抗辐射能力。包括以下步骤。步骤1、系统分析。根据系统性能要求,确定系统性能表征量以及系统性能阈值。步骤2、系统分解。将系统分解为相对独立的子系统或部器件,便于独立开展相应的性能参数实验。步骤3、子系统或部器件性能参数选择。根据系统状态分析的需求,旋转适当的部器件性能参数。步骤4、子系统或部器件性能参数实验。开展性能参数可靠性试验,获取这些参数随可靠性分析因素的变化关系及其不确定度。步骤5、系统功能建模。步骤6、系统功能参数预测及评估。
搜索关键词: 电子系统 器件性能参数 抗辐射 系统分解 系统功能 系统性能 性能参数 性能评估 状态分析 评估 系统性能要求 可靠性分析 可靠性试验 变化关系 不确定度 参数预测 辐射环境 功能状态 系统分析 系统状态 相对独立 表征量 建模 分析
【主权项】:
1.一种基于状态分析的电子系统抗辐射性能评估方法,其特征在于,包括以下几个步骤:步骤1、系统分析;根据系统性能要求,确定系统性能表征量以及系统性能阈值;步骤2、系统分解;将系统分解为相对独立的子系统或部器件,便于独立开展相应的性能参数实验;步骤3、子系统或部器件性能参数选择;根据系统状态分析的需求,旋转适当的部器件性能参数;步骤4、子系统或部器件性能参数实验;开展性能参数可靠性试验,获取这些参数随可靠性分析因素的变化关系及其不确定度;步骤5、系统功能建模;在步骤3及步骤4的实验数据的基础上,对系统进行功能建模;步骤6、系统功能参数预测及评估;对系统功能进行仿真,计算系统功能参数的裕量及不确定度,然后结合系统功能要求,对系统可靠性给出评估结果。
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