[发明专利]一种CsPbI3薄膜的制备方法在审
申请号: | 201711185329.X | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107881472A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 张立春;林国琛;薛晓娥;赵风周;徐满 | 申请(专利权)人: | 鲁东大学 |
主分类号: | C23C14/28 | 分类号: | C23C14/28;C23C14/06;C23C14/58 |
代理公司: | 成都蓉域智慧知识产权代理事务所(普通合伙)51250 | 代理人: | 陈千 |
地址: | 264025 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明提供了一种CsPbI3薄膜的制备方法,包括如下步骤清洗单晶硅衬底表面,用氮气吹干后,将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室;采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材,在单晶硅表面生长一层CsPbI3薄膜;将该CsPbI3薄膜置于碘蒸气环境下进行退火处理,即在碘蒸气环境下,对CsPbI3薄膜再结晶;生长结束后将样品取出,用去离子水清洗后,用氮气吹干。该制备方法简单,反应温度低,反应时间短,成本低,适用于工业化生产;可以获得大面积均匀致密、结晶质量高且光电性能优异的CsPbI3薄膜,满足其在发光材料、太阳能电池等光电器件领域中的应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 cspbi3 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种CsPbI3薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:S1:清洗单晶硅衬底表面,用氮气吹干后,将其置入脉冲激光沉积系统的真空生长室;S2:采用脉冲激光沉积技术刻蚀靶材,在单晶硅衬底表面生长一层CsPbI3薄膜;S3:将该CsPbI3薄膜置于碘蒸气环境下进行退火处理,即在碘蒸气环境下,对CsPbI3薄膜再结晶;S4:生长结束后将样品取出,用去离子水清洗后,用氮气吹干。
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