[发明专利]一种MMIC芯片及其背面划片道制作工艺

摘要

本发明涉及一种MMIC芯片及其背面划片道制作工艺，在前道工艺完成接地通孔工艺的基础上，采用纳米银浆烧结工艺与厚金层制作工艺相结合，在接地通孔中实现纳米银浆填充，固化完成后，使得接地通孔填充满金属Ag层，整个晶圆表面高低起伏在20um以内，在此基础上，电镀一层Au层(或Cu、Ni等)，并采用黄光工艺完成划片道制作。本发明在接地通孔填充纳米银浆并完成固化金属银层，使得芯片正面金属利用金属银替与背面金属联通，避免接地通孔侧壁金属化，在晶圆背面电镀2～10um厚度金属层，使得晶圆背面平坦化，利于光刻胶涂附。

主权项

一种MMIC芯片，其特征在于，包括处于正面部的正面金属层及处于背面部的衬底、接地通孔、金属银层、起镀层、厚金属层，所述接地通孔内设置有金属银层，所述衬底表面上设置有起镀层，所述起镀层表面上设置有厚金属层，所述厚金属层上设置有划片道，所述正面部上设置有与金属银层接触配合的正面金属层。