[发明专利]一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法

摘要

本发明涉及一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，包括以下步骤提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；对所述第一光阻层进行曝光；刻蚀；去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射层；形成第二光阻层；对所述第二光阻层进行曝光，形成初始工艺窗口；形成水溶性有机化合物层；对所述第二光阻层进行高温烘烤，形成最终工艺窗口；刻蚀；去除所述第二抗反射层、所述第二光阻层和所述水溶性有机化合物层；其中，所述初始工艺窗口的尺寸大于所述最终工艺窗口的尺寸。其优点在于，初始工艺窗口的尺寸大于最终工艺窗口尺寸，降低深宽比，满足可靠工艺生产要求。

主权项

一种改善深沟槽隔离焦深工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、提供一半导体衬底，所述半导体衬底上表面依次覆盖有氧化层、第一抗反射层和第一光阻层；步骤S2、对所述第一光阻层进行光刻，以在所述第一光阻层露出需要刻蚀沟槽的位置；步骤S3、刻蚀所述第一抗反射层、所述氧化层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第一沟槽；步骤S4、去除所述第一光阻层、所述第一抗反射层和所述氧化层，形成第二抗反射层，使所述第二抗反射层覆盖在所述半导体衬底上表面以及填充所述第一沟槽；步骤S5、形成第二光阻层，使所述第二光阻层覆盖在所述第二抗反射层的上表面以及填充所述第二抗反射层的空隙；步骤S6、对所述第二光阻层进行光刻，以形成初始工艺窗口；步骤S7、形成水溶性有机化合物层，使所述水溶性有机化合物层覆盖在所述第二光阻层的上表面以及填充所述初始工艺窗口；步骤S8、对覆盖有所述水溶性有机化合物层的所述第二光阻层进行高温烘烤，以形成最终工艺窗口；步骤S9、刻蚀所述第二抗反射层和所述半导体衬底，以在所述半导体衬底中形成第二沟槽；步骤S10、去除所述第二抗反射层、所述第二光阻层和所述水溶性有机化合物层；其中，所述初始工艺窗口的尺寸大于所述最终工艺窗口的尺寸。