[发明专利]基于横向外延过生长的GaN超级结二极管制作方法在审
| 申请号： | 201711188044.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108565291A | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 张进成;宋豫秦;郝跃;党魁;张涛;边照科 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 61205 | 代理人： | 王品华;朱红星 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于横向外延过生长的GaN超级结二极管制作方法，主要解决现有技术不能达到预期击穿电压的问题。其自下而上包括阴极(1)、n型GaN衬底(2)、n型GaN外延层(3)和阳极(5)。其中在n型GaN外延层(3)中增设有Mg掺杂凹槽形p型AlxGaN结构层(4)，该p型AlxGaN结构层(4)与n型GaN外延层(3)在水平方向上相间分布，且该凹槽侧壁与n型GaN外延层(3)之间形成超级结结构，凹槽底部与n型GaN衬底(2)之间形成pn结结构，且该p型AlxGaN结构层(4)中Al组分x的取值范围为0.1～0.5。本发明显著提高了击穿电压，可用于作为功率器件。 | ||
| 搜索关键词： | 结构层 横向外延过生长 二极管制作 击穿电压 超级结 衬底 阴极 超级结结构 凹槽侧壁 功率器件 相间分布 阳极 凹槽形 可用 掺杂 增设 | ||
【主权项】：
1.一种基于横向外延过生长的GaN超级结二极管，自下而上包括阴极(1)、n型GaN衬底(2)、n型GaN外延层(3)和阳极(5)，其特征在于：在n型GaN外延层(3)中增设有与凹槽形p型AlxGaN结构层(4)，该p型AlxGaN结构层(4)与n型GaN外延层(3)在水平方向上相间分布，且凹槽侧壁与n型GaN外延层(3)之间形成超级结结构，凹槽底部与n型GaN衬底(2)之间形成pn结结构。
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