[发明专利]具有均匀阈值电压分布的FIN结构及半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201711188055.X | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN109309007B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 冯家馨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/10;H01L29/161 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种形成半导体器件结构的方法。该方法包括：确定沿半导体衬底上方的硅锗(SiGe)鳍结构的高度的阈值电压分布曲线；根据SiGe鳍结构中的Ge浓度与阈值电压之间的相关性，确定锗(Ge)浓度曲线以抵消阈值电压分布曲线；沿着SiGe外延层的厚度形成具有Ge浓度曲线的SiGe外延层；对SiGe外延层进行蚀刻以形成SiGe鳍结构；以及在SiGe鳍结构上形成沿着SiGe鳍结构的高度具有均匀阈值电压的场效应晶体管。本发明还提供了具有均匀阈值电压分布的FIN结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 均匀 阈值 电压 分布 fin 结构 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件结构的方法，包括：确定沿着硅锗(SiGe)鳍结构的高度的阈值电压分布曲线，其中，所述硅锗鳍结构位于半导体衬底上方；根据所述硅锗鳍结构中的锗(Ge)浓度与阈值电压之间的相关性，确定锗浓度曲线以抵消所述阈值电压分布曲线；形成SiGe外延层，其中，所述SiGe外延层具有沿着SiGe外延层的厚度的所述锗浓度曲线；蚀刻所述SiGe外延层以形成所述硅锗鳍结构；以及在所述硅锗鳍结构上形成沿着所述硅锗鳍结构的高度具有均匀阈值电压的场效应晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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