[发明专利]半导体性单壁碳纳米管的提纯方法有效
| 申请号： | 201711189123.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109809393B | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 韩杰 | 申请（专利权）人： | 北京华碳元芯电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B32/17 | 分类号： | C01B32/17 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波;韩德凯 |
| 地址： | 100086 北京市海淀区中*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了提纯半导体性单壁碳纳米管的方法，包括：添加步骤：在含有半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管的溶液中添加低极性溶剂；离心步骤：进行离心处理；以及获取步骤：获得通过上述离心处理得到的上清液，以获取提纯的半导体性单壁碳纳米管溶液。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 性单壁碳 纳米 提纯 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从含有半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管的溶液中提纯半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于，包括：添加步骤：在含有半导体性单壁碳纳米管和金属性单壁碳纳米管的溶液中添加低极性溶剂；离心步骤：进行离心处理；以及获取步骤：获得通过所述离心处理得到的上清液，以获取提纯的半导体性单壁碳纳米管溶液。
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