[发明专利]视觉感知和存储器件及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201711189505.7 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109830489B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 沈国震;陈娣;娄正;陈帅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种视觉感知和存储器件，包括形成于同一衬底上两个相邻的区域并且串联的电阻转换存储器和光电探测器，其中所述电阻转换存储器包括所述衬底上的第一电极、所述第一电极上的忆阻层和所述忆阻层上的第二电极，所述第二电极延伸到所述光电探测器的区域内；所述光电探测器包括所述衬底上的所述第二电极，所述第二电极上由光敏材料形成的纳米线阵列，其中所述第二电极在所述光电探测器的区域内形成双端电极结构，电极两端呈齿状交替排列。所述器件不仅能够感知外界光线信息，而且能够将这种信息存储起来，便于随时完成信息的提取和再现。 | ||
| 搜索关键词： | 视觉 感知 存储 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种视觉感知和存储器件，包括形成于同一衬底上两个相邻的区域并且串联的电阻转换存储器和光电探测器，其中所述电阻转换存储器包括所述衬底上的第一电极、所述第一电极上的忆阻层和所述忆阻层上的第二电极，所述第二电极延伸到所述光电探测器的区域内；所述光电探测器包括所述衬底上的所述第二电极，所述第二电极上由光敏材料形成的纳米线阵列，其中所述第二电极在所述光电探测器的区域内形成双端电极结构，电极两端呈齿状交替排列。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
