[发明专利]半导体装置及其形成方法

摘要

提供一种半导体装置的形成方法，包括：将第一掩模层上方的多个第一心轴图案化。方法还包括：形成第一间隔层在第一心轴的侧壁和顶部上。方法还包括：移除第一间隔层的水平部分，其中第一间隔层的剩余垂直部分形成第一间隔物。方法还包括：在移除第一间隔层的水平部分之后，沉积反相材料于第一间隔物之间。方法还包括：将第一间隔物和反相材料组合并作为第一蚀刻掩模以将第一掩模层图案化。

主权项

1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一第一掩模层于一基底上；将该第一掩模层上方的多个第一间隔物图案化；形成一抗反射层于该些第一间隔物上方；形成一蚀刻停止层于该抗反射层上方；形成一第二掩模层于该蚀刻停止层上方；将该第二掩模层中的多个开口图案化，该些开口的每一个上覆于该些第一间隔物的相应的一对；使该些开口延伸穿过该抗反射层及该些第一间隔物的相应的一对之间；形成反相材料于该第二掩模层上方及该些开口之中；移除该抗反射层、该蚀刻停止层及该第二掩模层；及使用该些第一间隔物及该反相材料的剩余部分作为一第一蚀刻掩模，以将该第一掩模层图案化。