[发明专利]一种检测晶圆边缘缺陷的方法

摘要

本发明公开了一种检测晶圆边缘缺陷的方法，属于半导体制造技术领域，包括以下步骤建立一测量模型，测量模型的包括多个对应于待检测晶圆的边缘的量测点，量测点具有一个相应的角度值；测量每个量测点到待检测晶圆的中心的距离值；将每个距离值与预设的标准数值进行比较，判断小于标准数值的距离值对应的量测点为异常点，并得出异常点的角度值；根据相应的角度值，获取异常点的缺陷的具体形貌并显示。上述技术方案的有益效果是在晶圆边缘定义多个量测点，每个量测点对应一个角度值，通过量测每个量测点到晶圆中心的距离值与标准数值比较得到缺陷所在位置，再对缺陷点进行检测，得到缺陷的具体形貌，提高检测速度以及准确率。

主权项

一种检测晶圆边缘缺陷的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、建立一测量模型，所述测量模型的建立方法为，在待检测晶圆上定义一对准标记，以所述对准标记为起点和终点，沿预设方向每隔一预设角度在所述待检测晶圆的圆周上取一点作为量测点，定义所述对准标记为零度，相对于所述对准标记每个所述量测点具有一个相应的角度值；步骤S2、测量每个所述量测点到所述待检测晶圆的中心的距离值；步骤S3、将每个所述距离值与预设的标准数值进行比较，判断与所述标准数值不匹配的所述距离值对应的所述量测点为异常点，并得出所述异常点的所述角度值；步骤S4、根据相应的所述角度值，获取所述异常点的缺陷的具体形貌并显示。