[发明专利]半导体器件及制造其的方法有效
| 申请号： | 201711191137.X | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108231688B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 许然喆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底；n型晶体管，其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于衬底上的第三结区域、置于第三结区域上的第二沟道区域、置于第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中第一沟道区域和第二沟道区域是外延沟道层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；n型晶体管，其包括置于所述衬底上的第一结区域、置于所述第一结区域上的第一沟道区域、置于所述第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕所述第一沟道区域的第一栅极堆叠；以及p型晶体管，其包括置于所述衬底上的第三结区域、置于所述第三结区域上的第二沟道区域、置于所述第二沟道区域上的第四结区域、以及至少部分地围绕所述第二沟道区域的第二栅极堆叠，其中所述第一沟道区域和所述第二沟道区域是外延沟道层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
