[发明专利]一种无支撑MoS2纳米带的获取方法

摘要

本发明提供了一种无支撑MoS₂纳米带的获取方法，包括以下步骤：旋涂PMMA溶液后进行烘烤，然后样品放在KOH腐蚀液中浸泡剥离PMMA层，将漂浮的、粘有MoO₂为核、MoS₂为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，将PMMA/MoO₂@MoS₂纳米棒/SiO₂/Si基底在丙酮溶液中溶胶后得到无支撑MoS₂。本发明不依赖于基底模板材质和结构，过程安全有效且不会破坏MoS₂晶体结构，直接获取无支撑的MoS₂纳米带。

主权项

1.一种无支撑MoS₂纳米带的获取方法，其特征在于，包括以下步骤：/nA、旋涂PMMA溶液：在需转移的样品表面旋涂PMMA溶液，样品面上将形成一层PMMA薄膜；所述样品结构为：在蓝宝石基底上形成MoO₂为核、MoS₂为壳的核壳结构；/nB、样品烘烤：将旋涂好PMMA的样品放在180℃加热台上，烘烤5min，加固PMMA薄膜；/nC、剥离PMMA层：将样品放在KOH腐蚀液中浸泡，浸泡参数：90℃，50min；50min后，待其自然冷却至室温，粘有MoO₂为核、MoS₂为壳的核壳结构的PMMA层已脱离蓝宝石基底表面漂浮在腐蚀液上层；用镊子或小刀在烘烤之后的样品基底边缘的PMMA薄膜上划动一圈，再将样品放在KOH腐蚀液中浸泡；/nD、PMMA层转移：用硅片将漂浮的、粘有MoO₂为核、MoS₂为壳的核壳结构的PMMA层捞取出来用去离子水清洗，重复2～3次，将硅片倾斜放置等待自然风干；用去离子水清洗样品时，PMMA层上带有MoO₂为核、MoS₂为壳的核壳结构的一面朝下；/nE、清除PMMA：将风干后的PMMA层放在90℃丙酮溶液中溶解2h，此时MoO₂为核、MoS₂为壳的核壳结构分离，MoO₂内核脱离硅片表面至溶液中，硅基底上即得无支撑MoS₂。/n