[发明专利]集成电路

摘要

本公开实施例涉及集成电路与其形成方法，且集成电路包含边界区定义于低电压区与高电压区之间。在一些实施例中，集成电路包含第一边界介电层，位于低电压区中的基板上。第二边界介电层，位于高电压区中的基板上，且第二边界介电层的厚度大于第一边界介电层的厚度。第一边界介电层与第二边界介电层在边界区接触。第一多晶硅构件，位于第一边界介电层与第二边界介电层上的边界区中；第二多晶硅构件，位于第一多晶硅构件上的边界区中。硬掩模构件，位于第一多晶硅构件上并与第二多晶硅构件横向相邻。

主权项

1.一种集成电路，包括：一低电压区、一高电压区、以及一边界区定义于该低电压区与该高电压区之间；一第一边界介电层，位于该低电压区中的一基板上；一第二边界介电层，位于该高电压区中的该基板上，且该第二边界介电层的厚度大于该第一边界介电层的厚度，其中该第一边界介电层与该第二边界介电层在该边界区接触；一第一多晶硅构件，位于该第一边界介电层与该第二边界介电层上的该边界区中；一第二多晶硅构件，位于该第一多晶硅构件上的该边界区中；以及一硬掩模构件，位于该第一多晶硅构件上的该边界区中，并与该第二多晶硅构件横向相邻。