[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201711191912.1 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN109524463A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 黄如立;江志隆;庄英良;叶明熙;黄国彬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供湿工艺为主的方法形成自组装单层于特定的晶体管上，以调整高介电常数介电物‑金属栅极的临界电压。在一实施例中，方法包括形成栅极结构于基板上，且栅极结构包含栅极介电层、阻挡层形成于栅极介电层上、以及氧化物层形成于阻挡层上。上述方法也将氧化物层暴露至水溶液以形成自组装单层于氧化物层上，且水溶液包含金属氧化物于溶解金属的酸中。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物层 栅极介电层 自组装单层 栅极结构 阻挡层 半导体装置 高介电常数 金属氧化物 金属栅极 临界电压 晶体管 基板 介电 溶解 金属 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一栅极结构于一基板上，该栅极结构包括一栅极介电层、一阻挡层形成于该栅极介电层上、以及一氧化物层形成于该阻挡层上；以及将该氧化物层暴露至一水溶液，以形成一自组装单层于该氧化物层上，其中该水溶液包含金属氧化物于一溶解金属的酸中。
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