[发明专利]利用经氧化处理的碳化硅的水处理用陶瓷分离膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201711194071.X | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN108201794B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 宋仁赫;李钟万;河壮勋;赛义德·扎伊戈胡姆·阿巴斯·布哈里 | 申请（专利权）人： | 韩国材料研究院 |
| 主分类号： | B01D71/02 | 分类号： | B01D71/02;B01D67/00;C02F1/44 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;田英爱 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开利用经氧化处理的水处理用陶瓷分离膜及其制备方法。本发明的目的在于，制备陶瓷分离膜，在1050℃以下的低温条件下能够进行烧结，当进行氧化工序时，所形成的二氧化硅氧化膜诱发体积膨胀，来当进行通常的烧结时，能够防止基于涂敷层的收缩的缺陷。利用碳化硅在多孔性陶瓷支撑层上形成涂敷层后，在氧化气氛下进行烧结，来在碳化硅粒子表面形成二氧化硅氧化膜。能够利用这种二氧化硅氧化膜的低的结合温度来制备水处理用陶瓷分离膜。本发明的利用经氧化处理的碳化硅的水处理用陶瓷分离膜包括：多孔性陶瓷支撑层；以及碳化硅层，形成于上述多孔性陶瓷支撑层，上述碳化硅层包含碳化硅粒子及形成于上述碳化硅粒子表面的二氧化硅氧化膜。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 氧化 处理 碳化硅 水处理 陶瓷 分离 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种水处理用陶瓷分离膜，其特征在于，包括：多孔性陶瓷支撑层；以及碳化硅层，形成于上述多孔性陶瓷支撑层上，上述碳化硅层包含碳化硅粒子及形成于上述碳化硅粒子表面的二氧化硅氧化膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于韩国材料研究院，未经韩国材料研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711194071.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
