[发明专利]一种用于叉指状栅GOI结构漏电点精确定位的方法有效
| 申请号： | 201711194496.0 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107991599B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 杜晓琼;仝金雨;李桂花;蔚倩倩;李辉 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种叉指状栅GOI结构失效点定位方法，包括：提供集成电路芯片样品；逐层剥离集成电路各层直至暴露出源极/漏极接触顶部；刻蚀去除源极/漏极接触中的导电材料；采用电压衬度分析法，利用聚焦离子束(FIB)切割的方法，逐步定位栅极氧化层的失效点。通过去除源极/漏极接触中的导电金属，有效规避了FIB切割时源极/漏极接触(S/D CT)对电压衬度的干扰，进而实现栅极氧化层的漏电点(失效点)的精确定位，提高栅极氧化层可靠性失效分析的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 叉指状栅 goi 结构 漏电 精确 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种叉指状栅极GOI结构失效点定位方法，包括：提供集成电路芯片；逐层剥离集成电路各层直至暴露出源极/漏极接触的顶部；刻蚀去除源极/漏极接触的导电材料；采用电压衬度分析法，并结合聚焦离子束(FIB)切割方法，逐步定位栅极氧化层的失效点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
