[发明专利]半导体器件的互连线结构及半导体器件的互连线制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件的互连线结构及半导体器件的互连线制造方法，利用一刻蚀剂刻蚀位于开口中的介质层，以形成一凹槽在介质层中，其中，在刻蚀形成凹槽的过程中同时生成一钝化薄膜并附着在介质层位于凹槽内的侧壁上，利用钝化薄膜的分隔使刻蚀剂不侧蚀介质层位于凹槽侧壁的部分，由此，能够易于金属互连线填充在凹槽中，从而便可使得金属互连线能够很好的填充在凹槽中，避免了所形成的金属互连线侧处存在一定空洞的问题，提高了所形成的金属互连线及半导体器件的可靠性。

主权项

一种半导体器件的互连线制造方法，其特征在于，所述半导体器件的互连线制造方法包括：提供一衬底，所述衬底上形成有一介质层；形成一图案化刻蚀阻挡层在所述介质层上，所述图案化刻蚀阻挡层具有一开口，所述开口暴露出部分所述介质层；利用一刻蚀剂刻蚀位于所述开口中的所述介质层，以形成一凹槽在所述介质层中，其中，在刻蚀形成所述凹槽的过程中同时生成一钝化薄膜并附着在所述介质层位于所述凹槽内的侧壁上，利用所述钝化薄膜的分隔使所述刻蚀剂不侧蚀所述介质层位于所述凹槽侧壁的部分；及填充一金属互连线于所述凹槽中。