[发明专利]非制冷型红外光探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，包括提供一衬底；在所述衬底上制作形成第一电极层；在所述第一电极层上制作形成吸收层；在所述吸收层上制作形成缓冲层；在所述缓冲层上制作形成透明电极层；在所述透明电极层上制作形成第二电极层，所述吸收层的材料为ⅠB‑ⅡB‑ⅣA‑ⅥA掺杂P型材料，所述缓冲层的材料为N型半导体材料。本发明实施例公开了一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其工艺简单，所需的设备较简单，可大面积生产，制作成本低，可实现民用化，另外采用ⅠB‑ⅡB‑ⅣA‑ⅥA掺杂P型材料来制作吸收层，可扩展红外吸收的波长。

主权项

1.一种非制冷型红外光探测器的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底(10)；在所述衬底(10)上制作形成第一电极层(20)；在所述第一电极层(20)上制作形成吸收层(30)；在所述吸收层(30)上制作形成缓冲层(40)；在所述缓冲层(40)上制作形成透明电极层(50)；在所述透明电极层(50)上制作形成第二电极层(60)，所述吸收层(30)的材料为ⅠB‑ⅡB‑ⅣA‑ⅥA掺杂P型材料，所述缓冲层(40)的材料为N型半导体材料；所述ⅠB为铜，所述ⅡB为锌、镉和汞中的任意一种或者任意两种，所述ⅣA为锡和铅中的至少一种，所述ⅥA为硒或者碲，在所述第一电极层(20)上制作形成吸收层(30)的步骤之后，所述制备方法还包括对所述吸收层(30)进行高温退火处理，对所述吸收层(30)进行高温退火处理的方法具体包括：将所述吸收层(30)置于惰性气体和还原性硒氛围中；对所述吸收层(30)进行加热处理，使所述吸收层(30)以预定加热速率从室温升高至450℃，并维持第一预定时间；在第二预定时间内将所述吸收层(30)从450℃升温到480℃～520℃，并维持第三预定时间；将所述吸收层(30)自然冷却至室温；所述预定加热速率的范围为3.5℃/min～15℃/min，所述第一预定时间为30分钟，所述第二预定时间为1分钟，所述第三预定时间为15分钟。