[发明专利]一种场发射阴极电子源及其应用有效
申请号: | 201711200705.8 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108091529B | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 董长昆;周彬彬;张建;黄运米;何剑锋 | 申请(专利权)人: | 温州大学 |
主分类号: | H01J3/02 | 分类号: | H01J3/02;H01J1/304 |
代理公司: | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人: | 陈加利 |
地址: | 325000 浙江省温州市瓯海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种场发射阴极电子源及其应用,包括有场发射阴极和场发射门极,场发射阴极和场发射门极之间设置有场发射电压,场发射门极对应场发射阴极电子源的场发射方向的外端位置设置有环形电极,环形电极对应场发射阴极电子源的场发射方向的外端位置为环形带栅孔电极,环形带栅孔电极的径向外侧套设有环形辅助外电极,其中辅助外电极可以是电子源的外壳。该场发射电子源的主要功能和优点是是为真空电子器件(包括X射线管、微波管等)提供电子束流或在真空电子器件中进行气体压强监控。 | ||
搜索关键词: | 一种 发射 阴极 电子 及其 应用 | ||
【主权项】:
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