[发明专利]一种SiC泡沫及其制备方法有效
| 申请号： | 201711202448.1 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109836165B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 霍鹏飞;刘俊鹏;李鹏鹏;李晓东 | 申请（专利权）人： | 航天特种材料及工艺技术研究所 |
| 主分类号： | C04B35/83 | 分类号： | C04B35/83;C04B35/80;C04B35/524;C04B38/06;C04B41/87 |
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| 地址： | 100074 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种SiC泡沫及其制备方法，由碳泡沫基体和SiC涂层组成，所述的碳泡沫基体由树脂泡沫热解得到，所述的树脂泡沫中含有均匀分布的短切纤维。本发明制得SiC泡沫密度低、强度高、表面涂层密实，在作为C/SiC复合材料生产内置工装使用时增重较少。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 泡沫 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC泡沫，其特征在于：由碳泡沫基体和SiC涂层组成，所述的碳泡沫基体由树脂泡沫热解得到，所述的树脂泡沫中含有均匀分布的短切纤维，所述的短切纤维的长度为0.5～3mm，纤维在树脂泡沫中质量分数0.5～4％。
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