[发明专利]一种基于硅PIN的中子探测器在审
| 申请号： | 201711203252.4 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107884811A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 张庆威;王婷婷;林德雨;陈洁;赵哲 | 申请（专利权）人： | 中核控制系统工程有限公司 |
| 主分类号： | G01T3/08 | 分类号： | G01T3/08 |
| 代理公司： | 核工业专利中心11007 | 代理人： | 张雅丁 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及辐射测量技术领域，具体公开了一种基于硅PIN的中子探测器，通过在陶瓷封装的硅光电二极管上衬硼层，以达到探测中子的目的。本发明装置体积尺寸灵活，安全性较高，可应用于中子个人剂量报警仪等小型化的仪表。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pin 中子 探测器 | ||
【主权项】：
一种基于硅PIN的中子探测器，其特征在于：包括铝片(1)、硼层(2)、硅PIN(3)和陶瓷底托(4)；在所述铝片(1)的表面镀硼层(2)，将铝片(1)镀有硼层(2)的一侧与硅PIN(3)耦合；所述硼层(2)与硅PIN(3)的距离为H，H≤1mm；所述硼层(2)的材料为纯度在99％以上的硼单质，其中10B丰度大于92％；在所述陶瓷底托(4)的上表面开槽，硅PIN(3)设于槽中，组成陶瓷封装的硅光电二极管。
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