[发明专利]一种FPGA中使用双端口RAM实现多端口存储单元的电路在审
| 申请号： | 201711203296.7 | 申请日： | 2017-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN107977327A | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 牛少平;邓艺;郝冲;韩一鹏;魏艳艳 | 申请（专利权）人： | 中国航空工业集团公司西安航空计算技术研究所 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16 |
| 代理公司： | 中国航空专利中心11008 | 代理人： | 王中兴 |
| 地址： | 710000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于集成电路技术领域，涉及一种FPGA中使用双端口RAM实现多端口存储单元的电路，所述电路包含FPGA中的双端口存储资源Block RAM和多端口转双端口的逻辑；其中所述逻辑内部采用三倍频外部时钟，实现一个外部时钟周期内可接受多个读写端口访问存储单元的要求。本发明可以同时执行多个端口发起的读写请求，从设计上保证了读写数据的建立保持时间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fpga 使用 端口 ram 实现 多端 存储 单元 电路 | ||
【主权项】：
一种FPGA中使用双端口RAM实现多端口存储单元的电路，其特征为：所述电路包含FPGA中的双端口存储资源Block RAM和多端口转双端口的逻辑；其中所述逻辑内部采用三倍频外部时钟，实现一个外部时钟周期内可接受多个读写端口访问存储单元的要求。
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