[发明专利]三维扇出型封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711203872.8 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107946282B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 陈峰;张文奇 | 申请（专利权）人： | 上海先方半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/535 | 分类号： | H01L23/535;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海智晟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31313 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 200000 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种三维扇出型封装结构，包括：第一芯片，所述第一芯片的正面具有电极，所述电极的表面设置有导电柱；第二芯片，所述第二芯片的正面具有电极，所述第二芯片的背面层附连所述第一芯片的背面上；布线结构，所述布线结构包括第一绝缘树脂、嵌入在所述第一绝缘树脂内的导电线路，所述布线结构具有第一面和与第一面相对的第二面；第一金属柱和第二金属柱，所述第一金属柱和第二金属柱形成在所述布线结构的第一面并且与所述导电线路电连接，其中所述第一芯片倒装焊接在所述第一金属柱上，所述第一金属柱同所述导电柱形成电性连接，所述第二金属柱通过键合引线同所述第二芯片的电极形成电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 扇出型 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三维扇出型封装结构，包括：第一芯片，所述第一芯片具有正面和与正面相对的背面，所述第一芯片的正面具有电极，所述电极的表面设置有导电柱；第二芯片，所述第二芯片具有正面和与正面相对的背面，所述第二芯片的正面具有电极，所述第二芯片的背面层附连所述第一芯片的背面上；布线结构，所述布线结构包括第一绝缘树脂、嵌入在所述第一绝缘树脂内的导电线路，所述布线结构具有第一面和与第一面相对的第二面；第一金属柱和第二金属柱，所述第一金属柱和第二金属柱形成在所述布线结构的第一面并且与所述导电线路电连接，其中所述第一芯片倒装焊接在所述第一金属柱上，所述第一金属柱同所述导电柱形成电性连接，所述第二金属柱通过键合引线同所述第二芯片的电极形成电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海先方半导体有限公司，未经上海先方半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711203872.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种具有气隙的层间介质层及其淀积方法
- 下一篇：汽车前灯
