[发明专利]存储单元上的顶电极盖结构的形成方法在审
| 申请号： | 201711204164.6 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109427961A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 张耀文;杨宗学 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开关于存储单元上的顶电极盖结构的形成方法。在一些实施例中，形成顶电极盖结构于存储单元上的方法包括提供存储单元，其包括顶电极、底电极、与阻值存储器夹设于顶电极与底电极之间。对覆盖存储单元的层间介电层进行蚀刻，以形成通孔开口露出存储单元的顶电极。接着形成集气层以衬垫通孔开口，且集气层位于存储单元的顶电极上并邻接顶电极。形成阻氧层于集气层上，且阻氧层邻接集气层。 | ||
| 搜索关键词： | 顶电极 存储单元 气层 盖结构 通孔开口 邻接 底电极 阻氧层 蚀刻 层间介电层 存储器 覆盖存储 夹设 | ||
【主权项】：
1.一种存储单元上的顶电极盖结构的形成方法，包括：提供一存储单元，其包括一顶电极、一底电极、以及一阻值存储器夹设于该顶电极与该底电极之间；对覆盖该存储单元的一层间介电层进行蚀刻，以形成一通孔开口露出该存储单元的该顶电极；形成一集气层以衬垫该通孔开口，且该集气层位于该存储单元的该顶电极上并邻接该顶电极；以及形成一阻氧层于该集气层上，且该阻氧层邻接该集气层。
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