[发明专利]一种半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥

摘要

本发明提供了一种半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥，以重量份计，该耐高温水泥包括如下原料组分碳酸钙30‑80份，氧化铝5‑10份，氧化钠10‑20份，氧化钙5‑15份，氧化镁5‑10份，氧化铜5‑15份，氧化锆5‑10份，氧化钛5‑10份，氧化镍10‑20份，炭化硅10‑30份，硅粉10‑20份，二氧化硅10‑40份，氧化硼5‑10份，氧化钆5‑20份，钛酸钾晶须5‑10份，聚乙二醇20‑40份，有机硅偶联化合物10‑30份，环氧树脂5‑10份，水40‑90份。本发明的半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥，具有强粘结性、耐高温以及耐腐蚀的特性，适用于半导体晶体高温生长炉修补，并且制备这种高温水泥的方法操作简便，成本低廉，绿色环保。

主权项

一种半导体晶体炉保温层修复用耐高温水泥，以重量份计，其包括如下原料组分：碳酸钙30‑80份，氧化铝5‑10份，氧化钠10‑20份，氧化钙5‑15份，氧化镁5‑10份，氧化铜5‑15份，氧化锆5‑10份，氧化钛5‑10份，氧化镍10‑20份，炭化硅10‑30份，硅粉10‑20份，二氧化硅10‑40份，氧化硼5‑10份，氧化钆5‑20份，钛酸钾晶须5‑10份，聚乙二醇20‑40份，有机硅偶联化合物10‑30份，环氧树脂5‑10份，水40‑90份。