[发明专利]基板处理装置及基板处理方法在审
| 申请号： | 201711205314.5 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108242416A | 公开（公告）日： | 2018-07-03 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木悠太;塙洋祐 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基板处理装置，其特征在于，具有：供给机构，向基板的图案形成面供给含有熔融状态的升华性物质的处理液；凝固机构，使所述处理液在所述图案形成面上凝固而形成凝固体；以及升华机构，使所述凝固体升华，从所述图案形成面除去所述凝固体，所述处理液在20℃～25℃下的蒸气压为5kPa以上，在20℃～25℃下的表面张力为25mN/m以下。 | ||
| 搜索关键词： | 处理液 凝固体 基板处理装置 图案形成面 升华性物质 升华 供给机构 基板处理 凝固机构 熔融状态 图案形成 蒸气压 基板 凝固 | ||
【主权项】：
1.一种基板处理装置，用于对基板的图案形成面进行干燥处理，其中，所述基板处理装置具有：供给机构，向基板的图案形成面供给包含熔融状态的升华性物质的处理液；凝固机构，使所述处理液在所述图案形成面上凝固而形成凝固体；以及升华机构，使所述凝固体升华，从所述图案形成面除去所述凝固体，所述升华性物质在20℃～25℃下的蒸气压为5kPa以上，在20℃～25℃下的表面张力为25mN/m以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
