[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷的低温氧化烧结工艺在审
| 申请号： | 201711205796.4 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN109836158A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 韩璐 | 申请（专利权）人： | 韩璐 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/64;C04B35/82;C04B38/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明属于一种多孔碳化硅陶瓷的低温氧化烧结工艺。本发明的目的是低温(低于处理600℃)条件下制备的含二氧化钛的蜂窝陶瓷机械强度低的问题。本发明包括如下步骤：A.向制备蜂窝陶瓷体的粉体原料中加入硅溶胶中碳酸氢钙重量占全部粉体原料总重量的5％‑30％；B.将粉体原料加工成蜂窝陶瓷体坯体，将所述蜂窝陶瓷体坯体置于温度在50℃‑150℃，湿度大于75度的水热环境中24‑120小时；C.将蜂窝陶瓷体坯体进行烧结，烧结温度范围为500℃‑550℃，烧结时间为12‑72小时。本发明使得含二氧化钛的蜂窝陶瓷在烧成温度低于600℃的情况下可以获得足够的机械强度。 | ||
| 搜索关键词： | 蜂窝陶瓷体 粉体原料 烧结 坯体 多孔碳化硅陶瓷 低温氧化 二氧化钛 蜂窝陶瓷 烧结工艺 制备 水热环境 硅溶胶 中碳酸 氢钙 烧成 加工 | ||
【主权项】：
1.一种多孔碳化硅陶瓷的低温氧化烧结工艺其特征在于包括如下步骤：A、向制备蜂窝陶瓷的粉体原料中加入硅溶胶，所述硅溶胶中碳酸氢钙重量占全部粉体原料总重量的5％‑30％；B、将步骤A中全部粉体原料加工成蜂窝陶瓷坯体，将所述蜂窝陶瓷坯体置于温度在50℃‑150℃，湿度大于75度的水热环境中24‑120小时；C、将步骤B得到的经过处理的蜂窝陶瓷坯体进行烧结，烧结温度范围为500℃‑550℃，烧结时间为12‑72小时。
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