[发明专利]一种提高电容匹配度的版图结构及其实现方法在审
| 申请号： | 201711206393.1 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107919356A | 公开（公告）日： | 2018-04-17 |
| 发明（设计）人： | 赵喆;李长猛;刘建;李雷;刘寅 | 申请（专利权）人： | 北京华大九天软件有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司11467 | 代理人： | 王金双 |
| 地址： | 100102 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种提高电容匹配度的版图结构，包括，上、下金属层层次，以及中间金属层层次，所述上、下金属层层次与所述中间金属层层次的单一纵向金属，构成端口A；所述端口A的左右两侧中间金属层次的单一纵向金属，构成端口B；所述上、下金属层层次，以及所述中间金属层层次之间通过通孔进行连接。本发明还提供一种提高电容匹配度的版图实现方法，使用横向的侧壁电容，减小纵向电容，从而减小端口的寄生电容、增加单位电容之间的匹配精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 电容 匹配 版图 结构 及其 实现 方法 | ||
【主权项】：
一种提高电容匹配度的版图结构，包括，上、下金属层层次，以及中间金属层层次，其特征在于，所述上、下金属层层次与所述中间金属层层次的单一纵向金属，构成端口A；所述端口A的左右两侧中间金属层次的单一纵向金属，构成端口B；所述上、下金属层层次，以及所述中间金属层层次之间通过通孔进行连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
