[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管

摘要

本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，V‑pits，多量子阱，至少具有一V‑pits开启层和/或至少具有一V‑pits调制层，以及P型氮化物半导体，其特征在于：所述V‑pits开启层和V‑pits调制层具有不同的C碳含量，调节（10‑11）面和（0001）面的速率匹配，通过控制C含量控制位错线开出V‑pits并调控V‑pits尺寸和密度；并控制In_kGa_1‑kN/GaN的厚度比例和In_zGa_1‑zN/GaN的厚度比例，调控V‑pits的尺寸和密度。

主权项

1.一种氮化物半导体发光二极管，自下而上依次包括：N型氮化物半导体，V‑pits，多量子阱，至少具有一V‑pits开启层和/或至少具有一V‑pits调制层，以及P型氮化物半导体，其特征在于：所述V‑pits开启层和V‑pits调制层具有不同的C碳含量，通过V‑pits开启层，控制该层的C碳含量，控制氮化物半导体的III族原子在(0001)面的迁移率，使(10‑11)面的生长速率高于（0001）面，从而使位错线在V‑pits开启层开出V‑pits，使V‑pits的开启位置调节至N型氮化物半导体和多量子阱之间；通过控制V‑pits调制层的不同C碳含量，调节III族原子在（10‑11）面和（0001）面的速率匹配，并控制In_kGa_1‑kN/GaN的厚度比例和In_zGa_1‑zN/GaN的厚度比例，调控V‑pits的尺寸和密度。