[发明专利]一种制备纳米多孔金属材料的方法有效
| 申请号： | 201711207305.X | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN108018531B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王祖敏;张安 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/20;C23C14/24;C23C14/16;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 王丽 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种纳米多孔金属材料的制备方法，包括1)将金属和半导体材料在衬底上进行膜层生长，得到半导体/金属双层膜；2)对制备出的半导体/金属双层膜进行退火处理；3)对退火后的半导体/金属双层膜进行选择性刻蚀处理，以除去半导体从而获得纳米多孔金属材料。本方法的创新点在于借鉴金属诱导晶化方法在低温制备半导体薄膜的研究成果，利用固相‑固相之间的反应实现纳米化，能够较好地制备出纳米多孔纯金属和合金材料，且衬底材料不受限制。本发明提供一种廉价的、高效的\纳米多孔金属材料制备方法。克服纳米多孔金属材料传统方法的效率低、规模化扩展差等问题，同时能与大型工业设施、装备相兼容，易于实现大规模的工业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 多孔 金属材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米多孔金属材料的制备方法，其特征在于，所述材料是以半导体/金属双层膜为基材构筑；包括如下步骤：(1)将金属和半导体材料在衬底上进行膜层生长，得到半导体/金属双层膜；(2)对制备出的半导体/金属双层膜进行退火处理；(3)对退火后的半导体/金属双层膜进行选择性刻蚀处理，以除去半导体从而获得纳米多孔金属材料。
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