[发明专利]一种金属互连结构的制备工艺在审
| 申请号： | 201711208507.6 | 申请日： | 2017-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN107946238A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 毛晓明;高晶;叶伟;耿静静;胡小龙;苏林 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属互连结构的制备工艺，包括以下步骤在层间介质层的表面依次沉积牺牲层、钝化层和光刻层；进行光刻以去除待刻蚀位置的光刻层，形成光刻沟道；进行刻蚀以形成金属互连层沟道，并随后去除光刻层；在金属互连层沟道先沉积一层金属籽晶层；沉积金属互连层以充满沟道；平坦化所述金属互连层，并露出牺牲层；去除牺牲层以形成空气隙(Air Gap)沉积阻挡层以覆盖金属互连层和空气隙。本发明的工艺，能有效制备空气隙、减小寄生电容，从而提高了3D NAND闪存等半导体器件的运行速度，以及使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 互连 结构 制备 工艺 | ||
【主权项】：
一种金属互连结构的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：在层间介质层的表面依次沉积牺牲层、钝化层和光刻层；进行光刻以去除待刻蚀位置的光刻层，形成光刻沟道；进行刻蚀以形成金属互连层沟道，并随后去除光刻层；在金属互连层沟道先沉积一层金属籽晶层；沉积金属互连层以充满沟道；平坦化所述金属互连层，并露出牺牲层；去除牺牲层以形成空气隙(Air Gap)沉积阻挡层以覆盖金属互连层和空气隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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